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芯片晶圓熱處理的方法與流程
- 分類： 行業(yè)知識
- 作者：超級管理員
- 來源：本站
- 發(fā)布時(shí)間：2022-11-28
- 訪問量： 1229
【概要描述】 作為制造半導(dǎo)體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融···
芯片晶圓熱處理的方法與流程
【概要描述】 作為制造半導(dǎo)體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融···
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作為制造半導(dǎo)體器件的原料之一，將二氧化硅放入坩堝爐加熱熔融，用直徑約10mm的棒狀籽晶浸漬在熔融硅中，使籽晶稍微旋轉(zhuǎn)并提拉后，熔融硅中的硅原子在籽晶之后的單晶晶格排列方向上繼續(xù)結(jié)晶化，芯片晶圓熱處理從而制造半導(dǎo)體器件如果整個(gè)晶體環(huán)境穩(wěn)定，就會(huì)形成重復(fù)晶體，最后形成圓柱狀原子排列整齊的硅單晶，也就是硅單晶錠。 硅單晶錠接著通過切片、研磨、蝕刻、清洗、研磨等一系列晶片加工工藝加工成晶片，那么下面一起了解下芯片晶圓熱處理的方法與流程吧!
但是，在硅單晶的生長過程、晶片的制造、之后的半導(dǎo)體器件形成的各種工藝中，由于晶體的不完全性、工藝和結(jié)構(gòu)引起的應(yīng)力、剪切力、或者來自外部的雜質(zhì)的侵入，芯片晶圓熱處理經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生各種形狀的缺陷。 由于在這些缺陷附近的硅原子和自晶格間硅自身中存在未結(jié)合的電子，所以在半導(dǎo)體器件的界面和表面容易形成懸掛鍵，根據(jù)偏置電壓的不同，柵極氧化層的崩潰電壓的降低和漏電流的增加等同樣地，在制造金屬雜質(zhì)的半導(dǎo)體器件的電子特性上
另外，這是因?yàn)榘雽?dǎo)體器件的尺寸越微細(xì)，載流子在高電場下得到足夠的能量并發(fā)生碰撞，載流子的一部分被注入柵極氧化層。 這將引起半導(dǎo)體器件的性能劣化及其可靠性不良的問題。
目前常見的改進(jìn)方法之一是采用氫氣鈍化處理技術(shù)，將制備半導(dǎo)體器件的晶片置于氫氣氣氛中退火，使懸掛鍵與氫氣結(jié)合，芯片晶圓熱處理降低懸掛鍵的數(shù)量和對半導(dǎo)體器件操作的不良影響。 此外，在半導(dǎo)體器件完成時(shí)，用重氫氣體進(jìn)行調(diào)節(jié)，重氫與三、四或五族元素通過共價(jià)鍵結(jié)合，形成比較穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，避免熱載流子的穿透，降低漏電流，提高器件的性能和可靠性。但是，半導(dǎo)體器件中摻雜有多種摻雜劑，這些摻雜劑與高反應(yīng)的氫氣和氘氣在高溫環(huán)境下可能發(fā)生不同的反應(yīng)，影響半導(dǎo)體器件的特性，因此鈍化處理工藝參數(shù)的優(yōu)化很困難。
芯片晶圓熱處理帶來提高機(jī)械強(qiáng)度及半導(dǎo)體器件成品率的效果。 但是，如果這些氧析出物存在于器件的活性區(qū)域，則會(huì)導(dǎo)致柵極氧化物的完整性降低、不需要的基板漏電流等問題，越來越不符合精密化的半導(dǎo)體器件的需求，因此，如果氧析出物形成在本體區(qū)域這樣的器件活性區(qū)域以外，則可以防止半導(dǎo)體器件的損壞因此，如何使氧沉淀以適當(dāng)?shù)纳疃取⒚芏群痛笮》植荚诰?，是行業(yè)持續(xù)精進(jìn)的目標(biāo)之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
芯片晶圓熱處理提供一種在含有無氧氣混合氣體的氣氛中放置晶片，對晶片的一面進(jìn)行快速升溫處理，再在含有氧氣的氣氛中放置晶片，對晶片的一面進(jìn)行快速降溫處理的方法，藉由減少結(jié)晶的原生缺陷，阻礙內(nèi)質(zhì)點(diǎn)缺陷的凝聚。
芯片晶圓熱處理在含有無氧混合氣體的氣氛中放置晶片，對晶片的一面實(shí)施快速升溫處理，進(jìn)而在含有氧的氣氛中放置晶片，對晶片的一面實(shí)施快速降溫處理，在接近預(yù)定制造的半導(dǎo)體器件的地方形成體微缺陷提供一種晶片熱處理方法，使器件的活性區(qū)域不形成體微缺陷，抑制位錯(cuò)的滑動(dòng)，提高內(nèi)質(zhì)金屬雜質(zhì)的吸除效果。
芯片晶圓熱處理在含有無氧氣混合氣體的氣氛中放置至少一個(gè)晶片，對至少一個(gè)晶片的表面進(jìn)行急速升溫處理，升溫到規(guī)定的高溫的工序在執(zhí)行本發(fā)明的工序時(shí)，不會(huì)同時(shí)對半導(dǎo)體器件的多個(gè)不同的成分和結(jié)構(gòu)產(chǎn)生不同的影響，也不會(huì)產(chǎn)生不良影響為了簡化優(yōu)化上述工序的工序，優(yōu)選在將晶片切片后到在晶片上制造多個(gè)半導(dǎo)體器件為止的期間進(jìn)行。
以上介紹的就是芯片晶圓熱處理的方法與流程，如需了解更多，可隨時(shí)聯(lián)系我們!
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